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行業新聞
電子陶瓷基板的由來及應用
瀏覽次數:289次 發布日期:2022-03-09

中國科學院上海硅酸鹽研究所(SICAS)11月9日在上海舉行了關于電子陶瓷材料發展的歷史及由來的座談會,內容豐富,主題新穎、前沿,引起了在座人員熱烈的討論。教授表示國外公司已經研發出了新型氮化硅陶瓷基板Si3N4,它的抗彎強度、斷裂韌性都可以達到氮化鋁的2倍以上,其陶瓷片的導熱系數已經高到180W/m-k,具備較低的介電常數和介質損耗,可靠的絕緣性能,優良的力學性能,無毒,耐高溫,耐化學腐蝕,且氮化鋁與的熱阻相接近。

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 IGBT模塊是各種逆變電源的心臟,在新能源汽車、大功率工程機械、智能家居、軌道交通、通訊設備、軍工航天等領域應用廣泛,而高強度、高導熱的氮化鋁基板IGBTM模板的關鍵性材料之一。


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下圖為氮化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷氧化鋁陶瓷性能對比

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   在全球半導體技術朝著更大功率、電流、功率的方向發展,對于基片材料的要求也是越來越苛刻,而氮化硅陶瓷基片是集高導熱率,高強度于一身的綜合性能的優秀基板材料,氮化硅陶瓷基板必將是未來半導體器件陶瓷基片的發展趨勢,為第三代半導體的發展提供堅實的基礎。
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